p型半導體空穴的來源

1、p型半導體空穴的來源於雜質原子。

2、P型半導體，是以帶正電的空穴導電為主的半導體。在純硅中摻入微量3價元素銦或鋁，由於或鋁原子周圍有3個價電子，與周圍4價硅原子組成共價結合時缺少一個電子，形成一個空穴。空穴相當於帶正電的粒子，在這類半導體的導電中起主要作用。

3、在P型半導體中，空穴為多子，自由電子為少子，主要靠空穴導電。由於P型半導體中正電荷量與負電荷量相等，故P型半導體呈電中性。空穴主要由雜質原子提供，自由電子由熱激發形成。

摻入的硼（B）為離子，在其代替硅原子後，使半導體整體表現為空穴多於電子，也就是説，P型半導體中硅的電子沒有消失，只不過硅裏面增加了具有空穴的摻雜離子。同理，N型半導體也是一樣的。