碳化硅n型p型區別

1、形成原因不同

在半導體中摻入施主雜質，就得到N型半導體施主雜質：週期表第V族中的某種元素，例如砷或銻。

在半導體中摻入受主雜質，就得到P型半導體受主雜質：週期表中第Ⅲ族中的一種元素，例如硼或銦。

2、導電特性不同

P型半導體的導電特性：它是靠空穴導電，摻入的雜質越多，多子（空穴）的濃度就越高，導電性能也就越強。

N型半導體的導電特性：摻入的雜質越多，多子（自由電子）的濃度就越高，導電性能也就越強。

3、定義不同

N型半導體，也稱為電子型半導體。N型半導體即自由電子濃度遠大於空穴濃度的雜質半導體。 “N”表示負電的意思，取自英文Negative的第一個字母。在這類半導體中，參與導電的 主要是帶負電的電子，這些電子來自半導體中的施主。

P型半導體，也稱為空穴型半導體。P型半導體即空穴濃度遠大於自由電子濃度的雜質半導體。由於P型半導體中正電荷量與負電荷量相等，故P型半導體呈電中性。