pn結內電場阻礙什麼促進什麼

阻止的是多數載流子的擴散，促進的是少數載流子的漂移

在P型半導體和N型半導體結合後，由於N型區內自由電子為多子，空穴幾乎為零稱為少子，而P型區內空穴為多子，自由電子為少子，在它們的交界處就出現了電子和空穴的濃度差。由於自由電子和空穴濃度差的原因，有一些電子從N型區向P型區擴散，也有一些空穴要從P型區向N型區擴散。它們擴散的結果就使P區一邊失去空穴，留下了帶負電的雜質離子，N區一邊失去電子，留下了帶正電的雜質離子。開路中半導體中的離子不能任意移動，因此不參與導電。這些不能移動的帶電粒子在P和N區交界面附近，形成了一個空間電荷區，空間電荷區的薄厚和摻雜物濃度有關。

在空間電荷區形成後，由於正負電荷之間的相互作用，在空間電荷區形成了內電場，其方向是從帶正電的N區指向帶負電的P區。顯然，這個電場的方向與載流子擴散運動的方向相反，阻止擴散。

另一方面，這個電場將使N區的少數載流子空穴向P區漂移，使P區的少數載流子電子向N區漂移，漂移運動的方向正好與擴散運動的方向相反。從N區漂移到P區的空穴補充了原來交界面上P區所失去的空穴，從P區漂移到N區的電子補充了原來交界面上N區所失去的電子，這就使空間電荷減少，內電場減弱。因此，漂移運動的結果是使空間電荷區變窄，擴散運動加強。

最後，多子的擴散和少子的漂移達到動態平衡。在P型半導體和N型半導體的結合面兩側，留下離子薄層，這個離子薄層形成的空間電荷區稱為PN結。

PN結不是本徵半導體（不存在多子或者少子，它是成對存在的），是雜質半導體，即加五價的磷或者三價的硼，加五價的磷構成N型半導體（多子為自由電子），加三價的為P型半導體（多子為空穴），雜質半導體中濃度的不同會產生擴散運動，在內電場作用下少數載流子的運動叫漂移運動，擴散運作到達一定程度時，會在半導體中間產生一個空間電荷區，即內電場，內電場會阻礙多子的運動，舉個P型半導體例子，P區多子是空穴，中間區域得到電子後呈負電荷，排斥空穴的擴散，N型多子為自由電子，中間區域失去電子呈正電荷，同樣會排斥自由電子的擴散。少子則表現為吸引！