snapback原理

在飽和區域電壓上升的速度比在線性區域的時候要快，當電場達到了碰撞電離閾值時，空穴就產生了。

空穴電流從可以忽略不計到足夠大，並且佔據總電流一定份額時，電壓就會下降，負阻或snapback 特徵就會呈現出來。

加在電阻上的電壓大約150kV/cm 時就會發生碰撞電離，也就是説2um 長的電阻最大承受電壓約為30V。

引起snapback的碰撞電離由NB來決定(即背景或襯底摻雜濃度)，它會影響引發電阻snapback的電壓值。當然snapback也可能是在飽和區域時由載流子發熱引起的。