国内dram芯片排行

一、长江存储

作为一家集芯片设计、工艺研发、晶圆生产与测试、销售服务于一体的半导体存储器企业，长江存储为全球客户提供先进的存储产品和解决方案，广泛应用在移动通信，计算机，数据中心和消费电子等领域。

长江存储以武汉新芯现有的12英寸先进集成电路技术研发与生产制造能力为基础，采取自主研发与国际合作双轮驱动的方式，已于2017年研制成功了中国第一颗3D NAND闪存芯片，填补了国内空白。

公司3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash FAB厂房、1座总部研发大楼和其他若干配套建筑，核心厂区占地面积约1717亩，预计项目建成后总产能将达到30万片/月，2023年年产值达1000亿人民币。

近日，长江存储发布了全新3D NAND架构XtackingTM，该技术将为3D NAND闪存提高I/O高性能、存储密度，缩短产品上市周期。目前长江存储已将该技术应用于到第二代3D NAND产品的开发。

二、福建晋华

由福建省电子信息集团、晋江能源投资集团有限公司等共同出资设立的先进集成电路生产企业。公司与台湾联华电子开展技术合作，投资56.5亿美元，在福建省晋江市建设12吋内存晶圆厂生产线，开发先进存储器技术和制程工艺，并开展相关产品的制造和销售。

晋华集成电路已纳入中国“十三五”集成电路重大生产力布局规划，公司将以实现集成电路芯片国产化为己任，旨在成为具有先进工艺与自主知识产权体系的集成电路内存(DRAM)制造企业。

据悉，福建晋华集成电路公司的生产线设备安装将底完成，为三季度的大规模量产铺平了道路。

三、兆易创新

作为一家上市公司，是国内首家专业从事存储器及相关芯片设计的集成电路设计公司。致力于各种高速和低功耗存储器的设计研发，高技术、低功耗、低成本是其产品特点。成功研发了2008年第一颗 Serial Flash产品及第一款 GigaROM 产品，打破了国外的垄断，均填补了国内的空白，2012年Serial Flash产品月销量首次突破70kk，生产工艺提升至65nm，串行闪存领域市占率始终保持中国第一。

主要产品为Serial Flash及MCP，产品具有高可靠性、低功耗及适应便携式应用等特点，公司拥有来自第三方的先进生产线及强大产能支持，追求生产工艺的高速进步、技术水平的持续提高及生产成本的控制。产品广泛应用于手持移动终端、消费类电子产品、个人电脑及周边，网络、电信设备、医疗设备、办公设备、汽车电子及工业控制设备等领域。

四、合肥长鑫

睿力集成电路有限公司成立于2016年，旨在顺应加快推进集成电路产业发展的国家战略，依托合肥市政府及产业资本的大力支持，引进一流人才和工艺技术，潜心研发自有知识产权，致力于成为中国第一的12寸专业存储器IDM企业。

公司聚集了集成电路行业的领袖，研发、设计及制造的专家，以及国际化的经营管理团队。秉承不断创新，清廉诚信的理念，积极培养本地优秀人才，立志成为具有尖端技术开发能力和工艺制造能力的“中国创造”模范企业。公司一期总投资80亿美元，计划于2017年第三季度完成厂房建设，2018年实现正式生产。

目前，合肥长鑫12英寸存储器晶圆制造基地项目正处在加快建设的阶段，该项目一旦正式投产，预计将在全球DRAM市场占得约8%的市场份额，从而填补国产DRAM存储器在本国市场的空白。

五、紫光集团

紫光集团是国内仅次于华为的集成电路高科技企业，通过投资让自己处于国内存储芯片的领军地位。2016年始，紫光相继在武汉、南京、成都开工建设总投资额近1000亿美元的存储芯片与存储器制造工厂，开启了紫光在芯片制造产业十年1000亿美元的宏大布局。

2016年7月，由紫光集团、国家集成电路产业投资基金、湖北省集成电路产业投资基金、湖北科投在武汉新芯的基础上组建长江存储，从而对长江存储形成控股，长江存储总投资将超过240亿美元，也是紫光集团目前为止最大的投资项目之一。