半导体和第三代半导体区别
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自从上世纪五十年代以来,半导体产业已经发展为第三代。主要是材料不同。
第一代半导体材料以硅(Si)、锗(Ge)为主。
第二代bd半导体材料以砷化镓(GaAs)、磷化铟(lnP)为主。
第三代半导体材料以碳化硅(SiC)、氮化镓(ZnO)、金刚石(C)为代表。
其实,第三代和第一代,第二代半导体并不是替代关系,而是因其不同的特性适用于不同领域。它们的应用范围有交叉但并不等同。
自从上世纪五十年代以来,半导体产业已经发展为第三代。主要是材料不同。
第一代半导体材料以硅(Si)、锗(Ge)为主。
第二代bd半导体材料以砷化镓(GaAs)、磷化铟(lnP)为主。
第三代半导体材料以碳化硅(SiC)、氮化镓(ZnO)、金刚石(C)为代表。
其实,第三代和第一代,第二代半导体并不是替代关系,而是因其不同的特性适用于不同领域。它们的应用范围有交叉但并不等同。