igbt型號參數的含義

1、集電極—發射極間電壓(VCES)-在門極-發射極之間處於短路狀態時，集電極-發射極間的最大電壓。

2、門極—發射極間電壓（VGES）-在集電極-發射極間處於短路狀態時，門極-發射極間能夠施加的最大電壓（通常正負20Vmax）

3、集電極電流（IC）-集電極的電極上容許的最大直流電流。

4、最大集電極電流（ICRM）-集電極的電極上容許的最大脈衝電流

5、正向導通電流（IF） ——集成二極管上容許的最大直流正向電流

6、最大正向導通電流（IFRM）——集成二極管上容許的最大脈衝正向電流

7、短路電流(ISC)——IGBT 短路時的電流

8、最大損耗（PTOT）——每個IGBT容許的最大功耗損耗

9、結溫（TJ）——使元件能夠連續性工作的最大芯片溫度

10、正向峯值浪涌電流（IFSM）——在不破壞元件範圍內所允許的一週期以上商用正弦半波（50、60HZ）的電流最大值

11、集電極-發射極斷路電流（ICES）——門極（下稱G）-發射極（下稱E）間處於短路狀態時，在集電極（下稱C）-E間外加指定的電壓時C—E間的漏電流

12、門極-發射極間的漏電流（IGES）——C-E間處於短路狀態時，在G-E間外加指定的電壓時G-E間的漏電流

13、集電極-發射極間的飽和電壓（VGE（th））——處於指定的C-E間的電流（下稱集電極電流）和C-E間的電壓（下稱VCE）之間的G-E間的電壓（下稱VGE）（G-E間有微小電流開始透過時的VGE值用於作爲衡量IGBT開始導通時的VGE值尺度）

14、集電極—發射極間的飽和電壓（VCE(sat)）——在指定的VGE下，額定集電極電流流過時的VCE值（通常，VGE=15V，計算損耗時重要值）

15輸入電容（Cies）——C-E間交流性短路狀態下，G-E間和C-E間外加指定電壓時G-E間的電容。

16.、輸出電容（Coes）——G-E間交流性短路狀態下，G-E間和C-E 間外加指定電壓時C-E間的電容

17、反向傳輸電容（Cres）——在E接地的情況下，G-E間和C-E間外加指定電壓時C-E間的電容

18、二極管正向電壓（VF）——在內置二極管中流過指定的正方向電流（通常爲額定電流）時的正方向電壓（與VCE(sat））相同，也算是計算損耗是的重要值.

19、開通時間（tdon）：VGE上升到0後，VCE下降到最大