BIOS的memorytiming是什麼意思

==內存時序 內存時序是描述內存條性能的一種參數，一般存儲在內存條的SPD中。一般數字“A-B-C-D”分別對應的參數是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，它們的含義依次爲：CAS Latency（簡稱CL值）內存CAS延遲時間，它是內存的重要參數之一，某些牌子的內存會把CL值印在內存條的標籤上 RAS－to－CAS Delay（tRCD），內存行地址傳輸到列地址的延遲時間 RAS Precharge Delay（tRP），內存行地址選通脈衝預充電時間 Row Active Delay（tRAS），內存行地址選通延遲。這是玩家最關注的4項時序調節，在大部分主板的BIOS中可以設定，內存模組廠商也有計劃的推出了低於JEDEC認證標準的低延遲型超頻內存模組，在同樣頻率設定下，最低“2-2-2-5”這種序列時序的內存模組確實能夠帶來比“3-4-4-8”更高的內存性能，幅度在3至5個百分點。拷貝別人的