厚膜電路和ltcc的區別

1、膜厚的區別，厚膜電路的膜厚一般大於10μm，薄膜的膜厚小於10μm，大多處於小於1μm

2、製造工藝的區別，厚膜電路一般採用絲網印刷工藝，薄膜電路採用的是真空蒸發、磁控濺射等工藝方法。

薄膜集成電路是將整個電路的晶體管、二極管、電阻、電容和電感等元件以及它們之間的互連引線，全部用厚度在1微米以下的金屬、半導體、金屬氧化物、多種金屬混合相、合金或絕緣介質薄膜，並通過真空蒸發、濺射和電鍍等工藝製成的集成電路。

薄膜集成電路中的有源器件，即晶體管，有兩種材料結構形式：一種是薄膜場效應硫化鎘或硒化鎘晶體管，另一種是薄膜熱電子放大器。更多的實用化的薄膜集成電路採用混合工藝，即用薄膜技術在玻璃、微晶玻璃、鍍釉和拋光氧化鋁陶瓷基片上製備無源元件和電路元件間的連線。