dfb激光器芯片结构

DFB相比于常见的FP激光器不同之处就是它在外延处就植入了布拉格光栅，在F_P谐振腔内既可形成选模结构，实现完全单模工作。

在外延的阶段，中间插入光栅制造步骤，然后再接着二次外延生长。

外延生长的温度比较高，六七百摄氏度都正常，因此这些光栅沟槽会发生回熔，光栅就会变形，甚至完全消失，整个芯片的光栅就会变得残缺不全，激光器的内量子效率降低。

DFB激光器的震荡频率偏离Bragg频率，其阈值增益较高。