a29t三極體引數
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A29T基本引數:VDS = 30V, ID =5.8A,RDS(ON) < 28mΩ @ VGS=10V。
a29t是N溝道MOS場效應三極體,採用先進的溝槽技術,高密度、低導通電阻,是一個非常有效和可靠的MOS管裝置,最大功率1.4W。
a29t三極體主要引數:
漏源電壓(VDS ):30 V
A29T基本引數:VDS = 30V, ID =5.8A,RDS(ON) < 28mΩ @ VGS=10V。
a29t是N溝道MOS場效應三極體,採用先進的溝槽技術,高密度、低導通電阻,是一個非常有效和可靠的MOS管裝置,最大功率1.4W。
a29t三極體主要引數:
漏源電壓(VDS ):30 V