光刻機的幹刻與濕刻的優缺點

優缺點如下：

濕法刻蝕⼯藝的優點是設備簡單，刻蝕速率⾼，選擇性⾼。缺點是濕刻蝕刻劑化學物質去除了掩膜材料下⽅的基板材料，還需要⼤量的蝕刻劑化學物質。此外，必須⼀致地替換蝕刻劑化學物質，以保持相同的初始蝕刻速率。結果，與濕蝕刻有關的化學和處理成本⾮常⾼。⼲蝕刻的⼀些優點是其⾃動化能⼒和減少的材料消耗，⼲刻（例如，等離⼦蝕刻）的成本更低。缺點是幹刻的光源波長精度不如濕刻，因為濕刻是利用純水壓縮了光源波長。

一種是幹刻，一種是濕刻（目前主流），顧名思義，濕刻就是過程中有水加入，將上面經過光刻的晶圓與特定的化學溶液反應，去掉不需要的部分，剩下的便是電路結構了，幹刻目前還沒有實現商業量產，其原理是通過等離子體代替化學溶液，去除不需要的硅圓部分

優點

1、蝕刻度掩膜圖案邊緣的部位漸與蝕刻液接觸，故蝕刻液也開始對蝕刻掩膜圖案邊緣的底部，進行蝕掏，這就是所謂的下切或側向侵蝕現象 (undercut)。

2、該現象造成的圖案側向誤差與被蝕薄膜厚度同數量級，換言之，濕蝕刻技術因之而無法應用在類似「次微米」線寬的精密製程技術