閃存芯片是多少納米

最高10納米。

閃存芯片目前最高工藝製程為10納米。根據市場機構大摩的分析，長鑫存儲的17納米DRAM芯片的良品率已經達到40%，預計將在今年第二季度，會向客户提供最新的存儲芯片產品。不過，與國外頭部的存儲芯片巨頭相比，長鑫存儲的17nm存儲芯片良品率還需要提升、對技術不斷迭代。並且，美光、SK海力士以及三星這三家市場佔有率最高的閃存廠商，在DRAM芯片方面的研發，已經來到了10納米節點。