長江存儲芯片多少納米制程

長江存儲的3D NAND閃存芯片工藝製程已經邁向14nm級別。閃存顆粒並不像手機芯片那樣，對納米工藝要求那麼高。3D flash的堆疊層數和存儲密度更為重要，相反更大的製程，耐久度更高。flash本來就是消耗品，使用壽命是非常重要的。所以20nm製程足夠了。