cmos漏電流公式

MOSFETS飽和時候的漏極電流公式：

I=(1/2)UnCox（W/L）*（Vgs-Vth）²

式中：

Un：為電子的遷移速率。

Cox：為單位面積柵氧化層電容。

W/L：氧化層寬長比。

Vgs-Vth：為過驅動電壓。

擴展資料：

早期MOSFET的柵極（gate electrode）使用金屬作為其材料，但隨著半導體技術的進步，隨後MOSFET柵極使用多晶硅取代了金屬。

在處理器中，多晶硅柵已經不是主流技術，從英特爾採用45納米線寬的P1266處理器開始，柵極開始重新使用金屬。

今日半導體元件的材料通常以硅（silicon）為首選，但是也有些半導體公司發展出使用其他半導體材料的製程，當中最著名的例如IBM使用硅與鍺（germanium）的混合物所發展的硅鍺製程（silicon-germanium process，SiGe process）。

但是很多擁有良好電性的半導體材料，如砷化鎵（gallium arsenide，GaAs），因為無法在表面長出品質夠好的氧化層，所以無法用來製造MOSFET元件。