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A19T採用先進的溝槽技術，高密度，低導通電阻，是一個非常有效和可靠的MOS管裝置。A19T是一顆P溝道的低內阻場效應MOS管。A19T具有比PW2301A更高的ID電流值，和更高的VDS耐壓A19T基本參數：VDS=-30V，ID=-4.2A，RDS(ON)<55mΩ@VGS...
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