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A19T采用先进的沟槽技术,高密度,低导通电阻,是一个非常有效和可靠的MOS管装置。A19T是一颗P沟道的低内阻场效应MOS管。A19T具有比PW2301A更高的ID电流值,和更高的VDS耐压A19T基本参数:VDS=-30V,ID=-4.2A,RDS(ON)<55mΩ@VGS...
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