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原理如下   lpcvd工藝原理也是半導體行業中的一種標準工藝，CVD工藝製備光波導的流程，它是在硅基片（或者石英基片）上相繼沉積具有不同摻雜層的光波導層，比如芯層通過摻磷、硼來提高折射率，包層通過摻鍺來降低折...
LPCVD設備是一種用於物理學、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，於2005年8月17日啟用。主要功能：澱積多晶硅、氮化硅、二氧化硅、氧化硅等薄膜材料。技術指標：澱積薄膜厚度600A-20000A，極限真空優於1Pa，澱積薄膜片內均勻性...
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