lpcvd設備的主要功能

LPCVD設備是一種用於物理學、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，於2005年8月17日啟用。

主要功能：澱積多晶硅、氮化硅、二氧化硅、氧化硅等薄膜材料。

技術指標：澱積薄膜厚度600A-20000A，極限真空優於1Pa，澱積薄膜片內均勻性：Si3N4±3%多晶硅±4%，SiO2±3%。