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不需要，氮化硅的強度很高，尤其是熱壓氮化硅，是世界上最堅硬的物質之一。它極耐高温，強度一直可以維持到1200℃的高温而不下降，受熱後不會熔成融體，一直到1900℃才會分解，並有驚人的耐化學腐蝕性能，能耐幾乎所有的無機酸和30%...
答案是否定的，不導電的氮化硅用做高級耐火材料，如與sic結合作SI3N4-SIC耐火材料用於高爐爐身等部位如與BN結合作SI3N4-BN材料，用於水平連鑄分離環。SI3N4-BN系水平連鑄分離環是一種細結構陶瓷材料，結構均勻，具有高的機械強...
氮化硅陶瓷在機械工業中可用作渦輪葉片、機械密封環、高温軸承、高速刀具、永久模具等。傳統機械行業的很多設備都使用金屬材料。機械密封是離心泵或其它迴轉式機械上採用的一種新型裝置。它與歷來採用的軟填料密封比...
氮化硅更好。氮化硅膜與氧化硅膜相比較具有表面化學性能穩定等優點，故氮化硅膜可用於半導體工業。氮化硅是一種無機物，化學式為Si3N4。它是一種重要的結構陶瓷材料，硬度大，本身具有潤滑性，並且耐磨損，為原子晶體高温時抗氧...
不反應，無方程式。氮化硅，化學式Si3N4。白色粉狀晶體氮化硅與水幾乎不發生作用在濃強酸溶液中緩慢水解生成銨鹽和二氧化硅易溶於氫氟酸，與稀酸不起作用。濃強鹼溶液能緩慢腐蝕氮化硅，熔融的強鹼能很快使氮化硅轉變為硅酸...
不是，碳化硅陶瓷是無機材料。氮化硅陶瓷是一種無機材料，化學式為Si3N4。它是一種重要的結構陶瓷材料，硬度大，本身具有潤滑性，並且耐磨損，為原子晶體高温時抗氧化。而且它還能抵抗冷熱衝擊，在空氣中加熱到1000℃以上，急劇冷卻...
氮化硅是一種無機物，化學式為Si3N4。它是一種重要的結構陶瓷材料，硬度大，本身具有潤滑性，並且耐磨損，為原子晶體高温時抗氧化。而且它還能抵抗冷熱衝擊，在空氣中加熱到1000℃以上，急劇冷卻再急劇加熱，也不會碎裂。正是由於氮...
氮化硅更好。氮化硅膜與氧化硅膜相比較具有表面化學性能穩定等優點，故氮化硅膜可用於半導體工業。氮化硅是一種無機物，化學式為Si3N4。它是一種重要的結構陶瓷材料，硬度大，本身具有潤滑性，並且耐磨損，為原子晶體高温時抗氧...
   高温磷酸去除氮化硅原理：用熱磷酸濕法刻蝕法去除氮化硅。   將８５％濃磷酸和１５％去離子水（ＤＩＷ）配成並保持在１６０℃的温度下混合液體進行刻蝕，熱磷酸刻蝕之後的芯片一般採用對鍍膜後的硅片進行熱去離子水清洗除...
工藝流程一般由原料處理、粉體合成、粉料處理、成形、生坯處理，燒結和陶瓷體處理等環節組成。氮化硅陶瓷製備工藝的類型主要是按合成、成型和燒結的不同方法和次序區分的...
原理：氮化硅電熱塞極耐高温，強度一直可以維持到1200℃的高温而不下降，受熱後不會熔成融體，一直到1900℃才會分解，並有驚人的耐化學腐蝕性能，能耐幾乎所有的無機酸和30%以下的燒鹼溶液，也能耐很多有機酸的腐蝕同時又是一種高...
阿爾法氮化硅有硅粉氮化和燃燒合成兩種工藝合成的阿爾法氮化硅粉體。由於燃燒合成工藝製備的阿爾法氮化硅粉體是在較低的温度下合成的，並經歷了快速的升降温過程，因此具有較高的燒結。阿爾法氮化硅，在製備賽隆陶瓷製品時...
氮化鋁與碳化硅是兩種不同的無機化合物。氮化鋁，共價鍵化合物，化學式為AIN，是共價晶體，屬類金剛石氮化物、六方晶系，纖鋅礦型的晶體結構，無毒，呈白色或灰白色。碳化硅化學式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化...
碳化硅與氮化鎵的優劣勢是：1、性能方面：具體而言，SiC器件可以承受更高的電壓，最高可達1200VGaN器件的工作電壓和功率密度則低於SiC。同時，由於GaN器件的關斷時間幾乎為零（與50V/s的SiMOSFET相比，高電子遷移率使GaN的dV/dt大...
超級硅好。超級硅系列採用成熟的硅基材料，與GaN特殊的材料和生產工藝相比具有巨大的成本優勢。尤其在消費領域，如：手機通訊類、電子產品適配器的應用，器件成本大概為同等規格GaN器件25-50%，同時驅動超級硅功率器件的控制芯...
軟氮化就是氮碳共滲，這並不是單一的滲碳或者氮化，而是滲N為主，併兼有滲C的一個表面處理工藝。軟氮化的温度比滲碳低，但比氮化高，一般在570度左右。而且不同於滲碳後需要重新加熱淬火，而是保温後直接淬火，節約了一道加熱工序...
是硝態氮。硝態氮是指硝酸鹽中所含有的氮元素。水和土壤中的有機物分解生成銨鹽，被氧化後變為硝態氮。以硝態氮為主，再加上亞硝（酸鹽）態氮、氨態氮和有機態氮總稱之為總氮或全（態）氮。有些國家的水質標準中，對湖水水質已制定...
這兩種材料的區別如下：(1)物質不同：氮化鎵是一種非金屬氮化物。然而，硅基是一種二氧化硅材料。(2)分子量不同：氮化鎵的分子量大，然而，硅基的分子量較小。(3)用途不同：氮化鎵是半導體材料，然而，硅基則是晶體管基體材料。區別在...
工業：高純度硅與純氮氣在1300度反應3Si+2N2=Si3N4.也可以用化學氣相沉積法，在H2的保護下，使SiCl4與N2反應生成的Si3N4沉積在石墨表面，形成一層緻密的Si3N4層。3SiCl4+2N2+6H2=Si3N4+12HCl...
區別:（1）二者都涉及到四要素，即工件表面潔淨度，氮化温度，氨的分解率，滲氮保温時間。但在以上相同四點的各點上，有一定的區別，而且因其特異性，在操作上有一些形式的不同，尤其防滲方法存在較大的不同。（2）清洗工件，與氣體氮化大體相...
二者不反應。二氧化氮（NO2）為非金屬氧化物，硅酸鈉（Na2SiO3）為鹽，二者都是化合物，在化合物之間發生的是複分解反應。可是非金屬氧化物只與鹼發生複分解反應，生成物為鹽和水。而硅酸鈉為鹽它只與酸，鹼及鹽發生複分解，且二者若反應...
二者的主要區別如下：第一、二者的化學結構都不一樣：其中聚硅氮烷是一類主鏈以硅氮鍵為重複單元的無機聚合物而聚硅氧烷則是一類以重複的硅氧鍵為主鏈，硅原子上直接連接有機基團的聚合物。第二、二者的主要功能用途不一樣...
硅和氮沒有氫氧化物。氫氧化物是指金屬陽離子或銨根離子與氫氧原子團（—OH）形成的無機化合物，也叫作鹼，是金屬元素（包括銨）的氫氧化物。可用通式M（OH）n表示。對於非金屬氫氧化物，一般不稱其為氫氧化物，但一水合氨（又稱氫氧化銨（NH...
硅基氮化鎵外延片是指在藍寶石、硅、氮化硅和氮化鎵等襯底上進行氮化鎵外延。氮化鎵(GaN)作為第三代半導體核心材料之一，具有高擊穿場強、高飽和電子漂移速率、抗輻射能力強和良好的化學穩定性等優良特性，是製作寬波譜...
N是第二週期元素，原子半徑最小，P、Si、Mg是第三週期元素，同週期元素原子序數越大，原子半徑越小，磷小於硅小於鎂。原子半徑有小到大順序為N、P、Si、Mg。磷與氮同主族，但電子層數多，故原子半徑P＞N，磷與硫、硅同週期且在硫前，在硅...
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