iqoo氮化鎵和普通的對比

材質不一樣是所有不同的根本。

傳統的普通充電器，它的基礎材料是硅，硅也是電子行業內非常重要的材料。但隨着硅的極限逐步逼近，硅的開發也到了一定的瓶頸，許多廠商開始努力尋找更合適的替代品。

加之隨着快充功率的增大，快充頭體積也就更大，攜帶起來非常不方便一些大功率充電器長時間充電還容易引起充電頭髮熱因此，尋找新型的代替材料就更加迫切。

氮化鎵（GaN）被稱為第三代半導體材料。相比硅，它的性能成倍提升，而且比硅更適合做大功率器件、體積更小、功率密度更大。氮化鎵芯片頻率遠高於硅，有效降低內部變壓器等原件體積，同時優秀的散熱性能也使內部原件排布可以更加精密，最終完美解決了充電速率和便攜性的矛盾。很明顯，氮化鎵就是我們要尋找的代替材料。

瞭解了各自的材質特性，氮化鎵充電器和普通充電器的區別也就不言而喻了，氮化鎵充電器同功率下體積更小，且散熱更優秀，輕鬆實現小體積大功率

氮化鎵和普通充電器內部設計接近，十分規整。

充電器均採用PFC+ZVS反激電路架構，PFC升壓控制器採用安森美NCP1623，ZVS反激控制器採用Dialog iW9802，搭配納微氮化鎵功率芯片NV6136A。

氮化鎵器件由於其本身出色的開關特性，可以在同等功耗或者更低功耗的情況下提高充電器的開關頻率，簡而言之，氮化鎵充電器充電速度更快，同時體積更小，攜帶更方便。