半導體的各項特徵不包括

半導體材料的各項特徵不包括：導電性。半導體的導電能力介於導體和絕緣體之間，如硅、鍺、硒等，它們的電阻率通常在之間。

第一代半導體主要有硅和鍺，由於硅的自然儲量大、製備工藝簡單，硅成為製造半導體產品的主要原材料，廣泛應用於集成電路等低壓、低頻、低功率場景。但是，第一代半導體材料難以滿足高功率及高頻器件需求。

砷化鎵是第二代半導體材料的代表，較高的電子遷移率使其應用於光電子和微電子領域，是製作半導體發光二極管和通信器件的核心材料。但砷化鎵材料的禁帶寬度較小、擊穿電場低且具有毒性，無法在高温、高頻、高功率器件領域推廣。

第三代半導體材料以碳化硅、氮化鎵為代表，與前兩代半導體材料相比最大的優勢是較寬的禁帶寬度，保證了其可擊穿更高的電場強度，適合製備耐高壓、高頻的功率器件，是電動汽車、5G 基站、衞星等新興領域的理想材料。