碳化硅和碳化硅襯底有什麼區別

碳化硅是第三代半導體材料，作為寬禁帶半導體材料的一種，與硅的主要差別在禁帶寬度上，這讓同性能的碳化硅器件尺寸縮小到硅基的十分之一，能量損失減少了四分之三，成為製備高壓及高頻器件新的襯底材料。

而碳化硅襯底是美國的 CREE 公司專門採用 SiC 材料作為襯底的 LED 芯片電極是 L 型電極，電流是縱向流動的。

採用這種襯底製作的 器件的導電和導熱性能都非常好，有利於做成面積較大的大功率器件。