硅是直接帶隙半導體嗎

直接帶隙半導體材料就是導帶最小值（導帶底）和滿帶最大值在k空間中同一位置。電子要躍遷到導帶上產生導電的電子和空穴（形成半滿能帶）只需要吸收能量。

從效果上説，直接帶隙半導體內電子空穴更容易複合，雖然不一定發光，（釋放的能量也有可能轉成熱），但這是高效發光的前提條件。物理上也可以用recombination lifetime，複合壽命，來表徵。容易複合，也即載流子的壽命更短。如用作LED發光的氮化鎵，載流子壽命為納秒或更短。

硅是間接帶隙，載流子壽命在微秒量級，發光效率低到根本不能用來發光。