磷化鎵的介紹

化合物半導體磷化銦鎵(GaP)，電學性質優越。

磷化鎵是第二代半導體材料，廣泛應用於光通信、集成電路等領域。

5G 時代技術革新帶來以磷化鎵（GaP）、砷化鎵（GaAs）為代表的第二代半導體材料的蓬勃發展。

半導體材料按照物理性質可以劃分三代，分別是以 Si、Ge 為代表的第一代，GaP、lnp、GaAs 為代表的第二代，GaN、SiC 為代表的第三代。

磷化鎵（GaP）是一種 III~V 族化合物，閃鋅礦型晶體結構，晶格常數為 5.87×10-10 m，禁帶寬度為 1.34 eV，常温下遷移率為 3000~4500cm2/(V.S)。

GaP 晶體具有飽和電子漂移速度高、抗輻射能力強、導熱性好、光電轉換效率高等諸多優點。

被廣泛應用於光通信、高頻毫米波器件、光電集成電路和外層空間用太陽電池等領域。