氧化鎵和砷化鎵區別

氧化鎵和砷化鎵是兩種不同的物質。氧化鎵化學式為Ga2O3，是一種透明的氧化物半導體材料。氧化鎵是一種寬禁帶半導體，Eg=4.9eV。砷化鎵化學式為GaAs，為黑灰色固體，熔點1238℃。它在600℃以下能在空氣中穩定存在，並且不被非氧化性的酸侵蝕。砷化鎵是一種重要的半導體材料。屬Ⅲ－Ⅴ族化合物半導體。屬閃鋅礦型晶格結構，晶格常數5.65×10-10m，禁帶寬度1.4電子伏。