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區別是:砷化鎵是一種重要的半導體材料，為黑色固體，熔點1238°C。它在600°C以下，能在空氣中穩定存在，並且不被非氧化性的酸侵蝕。它製成的半導體器件具有高頻、高温、低温性能好、噪音小、抗輻射能力強等優點。而碳化硅又...
砷化鎵是第二代半導體，氮化鎵是第三代半導體材料，氮化鎵的温度和頻率特性都優於砷化鎵。氮化鎵器件提供的功率密度比砷化鎵器件高十倍。由於氮化鎵器件的功率密度較高，因此可以提供更大的帶寬、更高的放大器增益，並且由於...
因為砷化鎵具有半導體的性質。半導體，即價帶和導帶之間存在帶隙，一般在1～3eV，通過熱激發或者施加外電場可以使電子從價帶躍遷至導帶。砷化鎵是Ⅲ-Ⅴ族元素化合的化合物，黑灰色固體，熔點1238℃。它在600℃以下，能在空氣中穩定...
砷化鎵是立方晶系閃鋅礦型結晶結構。閃鋅礦型結構，又稱立方硫化鋅型結構。屬立方晶系，為面心立方點陣。屬等軸晶系。晶體結構中B原子呈立方密堆積，A原子填充在B原子構成的四面體空隙中。A、B原子的配位數均為4。A、B原子...
由於砷化鎵生產方式和傳統的硅晶圓生產方式大不相同，砷化鎵需要採用磊晶技術製造，這種磊晶圓的直徑通常為4—6英寸，比硅晶圓的12英寸要小得多，磊晶圓需要特殊的機台才行，同時砷化鎵原材料成本高出硅很多，鎵比較稀缺，砷又是有...
  砷化鎵和過氧化氫反應方程式：GaAs+4NaOH+4H2O2=NaGaO2+Na3AsO4+6H2O。  砷化鎵，化學式GaAs。黑灰色固體，熔點1238℃。它在600℃以下，能在空氣中穩定存在，並且不被非氧化性的酸侵蝕。  過氧化氫（h...
氧化鎵和砷化鎵是兩種不同的物質。氧化鎵化學式為Ga2O3，是一種透明的氧化物半導體材料。氧化鎵是一種寬禁帶半導體，Eg=4.9eV。砷化鎵化學式為GaAs，為黑灰色固體，熔點1238℃。它在600℃以下能在空氣中穩定存在，並且不被非氧...
碳化硅好。碳化硅是全球最先進的第三代半導體材料。和第一代的硅、第二代的砷化鎵材料相比，它具有耐高壓、高頻、大功率等優良的物理特性，是衞星通訊、高壓輸變電、軌道交通、電動汽車、通訊基站等重要領域的核心材料，尤...
砷化鎵是一種無機化合物，化學式為GaAs，為黑灰色固體，是一種重要的半導體材料。可以製成電阻率比硅、鍺高3個數量級以上的半絕緣高阻材料，用來製作集成電路襯底、紅外探測器、γ光子探測器等。其電子遷移率比硅大5～6倍，故在...
分子量:144.64。砷化鎵，化學式GaAs。分子量144.64。深灰色立方晶體。比重5.4。熔點1，238℃。屬Ⅲ、Ⅴ族化合物半導體，禁帶寬度和電子遷移率比元素半導體鍺及硅的大，製成的器件有較好的耐高温特性及頻率特性發光特性好及光...
砷化鎵是一種化合物半導體材料，分子式GaAs。立方晶系閃鋅礦結構，即由As和Ga兩種原子各自組成面心立方晶格套構而成的複式晶格，其晶格常數是5.6419A。室温下禁帶寬度1.428eV，是直接帶隙半導體，熔點1238℃，質量密度5.307g/cm3...
鎵也不如鋁活潑鎵的化學活性低於鋁，在常温下幾乎不受氧和水的侵蝕，只在高温下才被氧化（鎵）溶於酸，不溶於水、鹼水溶液。Ga(OH)₃氫氧化鎵是化學物質，分子式是Ga(OH)₃鎵是灰藍色或銀白色的金屬。熔點很低，沸點很高。純液態鎵...
氮元素是第VA族元素，其化合價為-3價，鎵元素是第IIIA族元素，其化合價為+3價。氮化鎵是化學式GaN，是一種直接能隙的半導體，起常用在發光二極管中。...
氮化鎵[dànhuàjiā]。氮化鎵是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。此化合物結構類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的...
鋁鎵合金的化學式可寫為AL-Ga，是一種金屬與另一種或幾種金屬或非金屬經過混合熔化，冷卻凝固後得到的具有金屬性質的固體產物。可作核反應的熱交換介質高温温度計的填充料有機反應中作二酯化的催化劑。工業用途鎵的工業...
氮化鎵在高頻下性能更好，但頻率越高震盪越大，越容易損壞。氮化鎵，分子式GaN，英文名是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。此化合物結構類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏...
氮化鎵是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（directbandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。此化合物結構類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件...
砷酸鹽是所有帶有砷酸鹽離子（化學式：AsO43−）的化合物的統稱，包括砷酸的所有鹽和酯。砷酸鹽中，砷原子的氧化態為+5，所以砷酸鹽的系統命名作砷(V)酸鹽。由於砷和磷都屬於元素週期表的第五族，且砷酸鹽和磷酸鹽的氧化態都是+5，所...
高毒類。大鼠經口LDso：15.Img/kgl小鼠經口LDso：39.4mg/kg。家兔經眼50ug(24h)．有重度刺激。家兔經皮5mg(24h)，有重度刺激。對人的致死量約0.06g。主要影響神經系統和毛細血管通透性，對皮膚和黏膜有刺激作用。避免與氧化劑...
比熱容在800度氮化鎵(納米材料具有寬帶隙，高熱導率，穩定的化學性質，較大的飽和電子漂移速度等優良特點。這些優良的特點使氮化鎵納米材料可以廣泛地應用於高亮度LED、藍光激光器、紫外探測器、大功率耐熱器件。此外，由於...
因為作為一種全新的半導體材料，氮化鎵用在充電器內的使用效率能夠大幅度提高，但是損耗卻更小。所以氮化鎵充電器最大的優點就是就能夠使用體積更小的變壓器以及其他電感元件，所以相比於傳統充電器，氮化鎵充電器能夠有效縮...
化合物半導體磷化銦鎵(GaP)，電學性質優越。磷化鎵是第二代半導體材料，廣泛應用於光通信、集成電路等領域。5G時代技術革新帶來以磷化鎵（GaP）、砷化鎵（GaAs）為代表的第二代半導體材料的蓬勃發展。半導體材料按照物理性質可以...
三氧化二砷俗稱砒霜，化學式As2O3，是最具商業價值的砷化合物及主要的砷化學開始物料。它也是最古老的毒物之一，無臭無味，外觀為白色霜狀粉末。主要用於提煉元素砷，是冶煉砷合金和製造半導體的原料。玻璃工業用作澄清劑和脱...
shēn  huà ní“化”，讀音為huà，最早見於商朝甲骨文時代，在六書中屬於會意字。鈮ní（名）一種金屬元素質硬銀白色有光澤主要用於制耐高温、耐腐蝕的合金鋼。也是一種良好的超導體。舊稱鈳（kē）。鈮（鈮）níㄋㄧˊ...
砷化硼是新材料，人工合成，儲量不多。最近《科學》雜誌公佈了立方砷化硼的一些信息。這種材料在實驗室展現出比硅更好的導熱性和更高的雙極性遷移率，有潛力成為比硅更優良的半導體材料。硼是十分重要的化工非金屬戰略礦產...
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