半導體產生條件

半導體的發現實際上可以追溯到很久以前。

1833年，英國科學家電子學之父法拉第最先發現硫化銀的電阻隨着温度的變化情況不同於一般金屬，一般情況下，金屬的電阻隨温度升高而增加，但法拉第發現硫化銀材料的電阻是隨着温度的上升而降低。這是半導體現象的首次發現。

不久，1839年法國的貝克萊爾發現半導體和電解質接觸形成的結，在光照下會產生一個電壓，這就是後來人們熟知的光生伏特效應，這是被發現的半導體的第二個特性。

1873年，英國的史密斯發現硒晶體材料在光照下電導增加的光電導效應，這是半導體的第三種特性。

半導體產生條件

半導體：物質的導電性能決定於原子結構。導體一般為低價元素，它們的最外層電子極易掙脱原子核的束縛成為自由電子，在外電場的作用下產生定向移動，形成電流。

高價元素(如惰性氣體)或高分子物質(如橡膠)，它們的最外層電子受原子核束縛力很強，很難成為自由電子，所以導電性極差，成為絕緣體。

常用的半導體材料硅(Si)和鍺(Ge)均為四價元素，它們的外層電子既不像導體那麼容易掙脱原子核的束縛，也不像絕緣體那樣被原子核束縛的那麼緊，因而其導電性介於二者之間。