mos管導通電阻與温度關係

如果驅動電壓小於10v，那就太有關係了，mos管都沒有完全打開，內阻會比較大，温升肯定大，如果你指的是＞10v的驅動電壓，看你應用在什麼場合了，低頻場合驅動電壓高低影響不大，但是如果應用在射頻等高頻下，那就有影響了。

VGS電壓一定時，温度越高，所流過的電流越大，温度和電流形成正反饋，即MOS管的RDS(ON)為負温度係數，可以將這個區域稱為RDS(ON)的負温度係數區域。

半導體內部與外部的温度差由熱阻決定。結與外殼間的熱阻為R，外殼與散熱片之間的熱阻為R，結（芯片）與周圍環境的熱阻為R衄^。