n型溝道mos管導通條件

n溝道mos管導通條件

導通時序可分為to~t1、t1~t2、t2~t3、t3~t4四個時間段，這四個時間段有不同的等效電路。

1）t0-t1：CGS1開始充電，柵極電壓還沒有到達VGS（th），導電溝道沒有形成，MOSFET仍處於關閉狀態。

2）［t1-t2］區間，GS間電壓到達Vgs（th），DS間導電溝道開始形成，MOSFET開啟，DS電流增加到ID，Cgs2迅速充電，Vgs由Vgs（th）指數增長到Va。

3）［t2-t3］區間，MOSFET的DS電壓降至與Vgs相同，產生Millier效應，Cgd電容大大增加，柵極電流持續流過，由於Cgd電容急劇增大，抑制了柵極電壓對Cgs的充電，從而使得Vgs近乎水平狀態，Cgd電容上電壓增加，而DS電容上的電壓繼續減小。

4）［t3-t4］區間，至t3時刻，MOSFET的DS電壓降至飽和導通時的電壓，Millier效應影響變小，Cgd電容變小並和Cgs電容一起由外部驅動電壓充電，Cgs電容的電壓上升，至t4時刻為止。此時Cgs電容電壓已達穩態，DS間電壓也達最小，MOSFET完全開啟。

n型溝道mos管導通條件

N溝道MOS管（一般源極接地），只要柵源電壓Vgs>Vth（通常是0.7V左右），便可在柵極下面的P襯底形成N型溝道，將源極和漏極連在一起，成為導電通道這時只要在漏極加上電壓，便可形成電流，此時電流同時受Vgs和Vds控制當Vgd＝Vgs－Vds＜Vth時，溝道在漏極夾斷，管子進入飽和區，此時電流僅受Vgs控制（忽略溝道長度調製效應）當漏源電壓Vds太大時，會發生源漏穿通，即漏極和源極連在一起，相當於發生了擊穿，此時會產生很大的電流。

當柵源電壓Vgs太大時，也會發生擊穿，即柵氧化層被擊穿，此時管子失效。