a19t三極管作用

A19T採用先進的溝槽技術，高密度，低導通電阻，是一個非常有效和可靠的MOS管裝置。A19T是一顆P溝道的低內阻場效應MOS管。

A19T具有比PW2301A更高的ID電流值，和更高的VDS耐壓

A19T基本參數：VDS = -30V，ID = -4.2A，RDS(ON) < 55mΩ @ VGS=-10V

A19T採用SOT23-3L環保材質的封裝形式。