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IGBTIGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體器件,IGBT的靜態特性主要有伏安特性、轉移特性和開關特性。兼有MOSF...
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