碳化硅器件跟半導體芯片的區別

區別在於碳化硅器抗氧化性，和抗鹼行遠強於半導體芯片。

1、抗化合性:當碳化硅材料在氧氣中炮煉到1300℃時，在其碳化硅晶體表層已經生成二化合硅保護層。跟着保護層的加厚實，抵制了裏面碳化硅繼續被化合，這使碳化硅有較好的抗化合性。當氣温達到1900K(1627℃)以上時，二化合硅保護膜已經被敗壞，碳化硅化合效用加重，從而1900K是碳化硅在含化合劑氛圍下的較高工作氣温。

2、耐酸鹼性:在耐酸、鹼及化合物的效用方面，因為二化合硅保護膜的效用，碳化硅的抗酸能力非常非常強，抗鹼性稍差。