硅基半導體材料

是以硅材料為基礎發展起來的新型材料。包括絕緣層上的硅材料、鍺硅材料、多孔硅、微晶硅以及以硅為基底異質外延其他化合物半導體材料等。

第一代半導體以硅（Si）和鍺（Ge）為代表，當前全球絕大多數的半導體器件均以硅為基礎材料製造，佔據着半導體產業90%以上的市場份額。

第二代半導體以砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）等化合物為代表，這類半導體主要用於製作高速、高頻、大功率以及發光電子器件，是製作高性能微波、毫米波器件及發光器件的優良材料。

第三代半導體以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等化合物為代表，又被稱為寬禁帶半導體材料，應用場景主要分佈在功率和射頻領域。與前兩代半導體材料相比，第三代半導體具備更寬的禁帶寬度、飽和電子漂移速率高、更高的擊穿電場、導熱率高等優點。