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2024-02-04 MOS管經常用於電路的開關控制，通過改變柵極(gate)的電壓來使漏級(drain)和源級(source)導通或截斷。MOS管柵極懸空：Vg輸入高時，N管會導通，使得P管的柵極為低，P管的DS導通。Vg為高阻態時，Vout輸入不定，檢查發現P管的柵極電壓...

2024-02-27 nMOS晶體管導通是通過溝道里面的電子產生電流的，一般NMOS的源極接襯底，共同接到地，漏極到源極加上正電壓，電子從源極向漏極流動，我們取電流的方向和電子流動的方向相反，所以電流是漏極流到源極。如果NMOS的源極不接襯底，不接...

2023-12-31 NMOS晶體管的工作原理：在一塊摻雜濃度較低的P型硅襯底（提供大量可以動空穴）上，製作兩個高摻雜濃度的N+區(N+區域中有大量為電流流動提供自由電子的電子源)，並用金屬鋁引出兩個電極，分別作漏極D和源極S。然後在半導體表面覆...

2024-02-27 高電平輸入，輸出為低電平低電平輸入，輸出為高電平。導電溝道的形成當vGS數值較小，吸引電子的能力不強時，漏——源極之間仍無導電溝道出現。vGS增加時，吸引到P襯底表面層的電子就增多，當vGS達到某一數值時，這些電子在柵極附近...

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