湯遜理論和流注理論的主要區別

湯遜理論和流注理論都是解釋均勻電場的氣體放電理論。前者適用於均勻電場、低氣壓、短間隙的條件下後者適用於均勻電場、高氣壓、長間隙的條件下。不同點:

放電外形流注放電是具有通道形式的。根據湯遜理論，氣體放電應在整個間隙中均勻連續地發展。

放電時間根據流注理論，二次電子崩的起始電子由光電離形成，而光子的速度遠比電子的大，二次電子崩又是在加強了的電場中，所以流注發展更迅速，擊穿時間比由湯遜理論推算的小得多。

陰極材料的影響根據流注理論，大氣條件下氣體放電的發展不是依靠正離子使陰極表面電離形成的二次電子維持的，而是靠空間光電離產生電子維持的，故陰極材料對氣體擊穿電壓沒有影響。根據湯遜理論，陰極材料的性質在擊穿過程中應起一定作用。實驗表明，低氣壓下陰極材料對擊穿電壓有一定影響。

湯遜理論適用於均勻電場、低氣壓、短間隙的條件下。流注理論適用於均勻電場、高氣壓、長間隙的條件下。

湯遜理論認為電子碰撞電離是氣體放電的主要原因，二次電子來源於正離子撞擊陰極使陰極表面逸出電子，逸出電子是維持氣體放電的必要條件。所逸出的電子能否接替起始電子的作用是自持放電的判據。

流注理論認為形成流注的必要條件是電子崩發展到足夠的程度後，電子崩中的空間電荷足以使原電場明顯畸，流注理論認為二次電子的主要來源是空間的光電離。